英特爾鎂光發布32Gbit閃存芯片 采用34納米工藝

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    英特爾和鎂光科技上周四共同發布了一種雙方聯合開發的34納米32Gbit NAND閃存芯片，預期將能提高固態硬盤容量的同時降低生產成本。

    英特爾和鎂光科技上周四共同發布了一種雙方聯合開發的34納米32Gbit NAND閃存芯片，預期將能提高固態硬盤容量的同時降低生產成本。

    尺寸比人拇指還小的這種新閃存芯片將在300毫米晶圓廠生產，將能為電子產品提供大約1.6TB的容量。英特爾官員稱這種芯片是目前最小的NAND產品，為未來生產小型電子產品所需的高容量低成本固態存儲器鋪平了道路。

    采用這種技術的芯片樣本將在六月提供給各大硬件廠商，而大批量生產會在2008年下半年。

    這種多層芯片是由英特爾和鎂光的合資企業IM Flash Technologies生產的。今年二月時，合作雙方發布了自己的高速NAND技術，據說數據傳輸率是傳統NAND技術的五倍。這種NAND芯片定于今年夏季開始出貨。

    英特爾和鎂光表示，合資公司計劃從2008年底開始投產低容量的多層芯片產品，其中包括一種單層芯片設備。

    另據英特爾透露，采用其全新NAND閃存架構的單片32Gbit芯片能儲存超過2000張高分辨率數碼照片，或在一台個人音樂設備中保存1000首MP3歌曲。

    英特爾NAND產品部門營銷總裁Pete Hanzen稱他們計劃在未來產品中使用這種新型芯片，但拒絕透露具體資料。今年3月時，英特爾確認打算在2008年中推出用于筆記本電腦的1.8英--、2.5英--固態硬盤，容量在80GB-160GB之間。

    以產品形式來看，這種新的34納米NAND技術能讓現有的256GB固態硬盤容量“即時”提升一倍。就在本周，三星電子剛剛發布了一種256GB固態硬盤，將在今年稍後時間集成在筆記本電腦中一起出貨。

    分析師們預測，隨著無盤技術成本的下降，未來數月中將來越來越多的企業采用固態存儲技術。相比傳統旋轉式硬盤驅動器，閃存驅動器雖然具有明顯的節能和高速優勢，但還是有人擔心其性能不穩定和可靠性問題。

小米